一、TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究（论文文献综述）
陈涛[1]（2017）在《还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其叠层片式元件关键技术研究》文中研究说明多层片式ZnO压敏电阻（ZnO MLVs）因其独特的非线性电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）特性被广泛地应用于低压集成电路中的静电防护（ESD）。由于ZnO及其组分在低氧分压下高温烧结容易被还原从而发生组分挥发损失,目前ZnOMLVs只能在空气中烧结制备,导致其内电极需使用能够抗高温氧化且熔点较高的贵金属银（Ag）/钯（Pd）合金材料,致使得其生产成本居高不下。此外,内电极与ZnO压敏组分的化学反应和扩散会导致器件电性能的恶化。为解决电极成本高及其与成分反应扩散的问题,本文采用还原再氧化工艺,首先通过对ZnO压敏材料的掺杂改性,使其适应于还原再氧化工艺,在此基础上,用贱金属镍（Ni）替代贵金属Ag/Pd合金作为内电极制备片式元件以降低ZnO MLVs的生产成本,同时保证器件具备良好电性能。主要研究如下:研究了 ZnO单组分体系及ZnO-Bi2O3双组份体系在保护气氛（N2）及还原气氛N2-H2（99.5%-0.5%）中的烧结特性,发现ZnO及Bi2O3在低氧分压下容易被还原从而产生大量的挥发,导致样品发生严重的质量损失,不能烧成致密陶瓷,且晶粒难以生长（晶粒尺寸小于0.6 μm）。针对此问题,采用氮化硼（BN）作为还原抑制剂来抑制组分的还原挥发及促进瓷体的致密和晶粒的生长。研究发现,BN的添加,有效地抑制了样品中组分的挥发,经还原气氛中烧结后得到了较为致密的陶瓷,经N2-H2气氛中1000℃烧结后,样品的致密度升高到了 95.9%,平均晶粒尺寸为10.6μm,且样品的失重率降低到了 2.4%。通过样品在烧结高温阶段淬火的背散射SEM图及XRD结果,发现烧结过程中BN会吸收组分中释放的氧（O）,形成液相Bi-B-O。第一性原理计算结果表明,晶界液相的存在,使ZnO晶粒表面与液相结合,降低了 ZnO晶粒表面的活性,抑制了晶粒表面O的挥发及Zn间隙的形成,从而抑制了 ZnO的还原挥发。液相的存在,加快了烧结过程中的液相传质过程,促进了瓷体的致密及晶粒的生长。由于还原气氛中烧结的样品晶界O的缺乏以及Bi2O3被还原成了金属Bi,导致晶界受主态的缺失,使得晶界势垒难以形成,样品不具备非线性Ⅰ-Ⅴ特性。通过再氧化处理,使多晶粒结点处被还原的金属Bi吸附O形成富Bi2O3液相,重新在晶界及多晶粒的结点处偏析,这为晶界中的O传输及吸附提供了前提条件,晶界势垒得以形成,所以空气中850 ℃再氧化后的样品具备了一定的非线性特性。对Sb2O3添加的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷微观结构及电性能进行了研究。发现Sb2O3的添加,使压敏陶瓷的有效再氧化温度（研究发现压敏陶瓷的非线性系数随着再氧化温度的上升而升高,当再氧化温度达到一定值时,非线性系数基本不变,达到稳定值,这里的“有效再氧化温度”定义为非线性系数达到稳定时的最低再氧化温度）向高温方向移动,在不含Sb2O3的样品中,有效再氧化温度为800℃,而添加Sb2O3后,有效再氧化温度上升到了 850 ℃。EDAX研究表明,随着Sb2O3添加量的增加,金属Bi相中溶解的Sb元素含量也会增加,由于Sb在再氧化过程中先于Bi氧化,会吸收部分O,从而抑制金属Bi的氧化。此外,因被氧化而形成的Sb2O3（Sb2O5）会继续与ZnO结合形成尖晶石或与Bi2O3及ZnO结合形成焦绿石钉扎在多晶粒的结点处及晶界上,这会阻碍O的传输路径,增加O的迁移势垒,从而使有效再氧化温度上升。为提高ZnO压敏陶瓷的电性能,对样品进行了过渡金属氧化物掺杂改性。研究发现,适当的MnO2、Co2O3掺杂利于ZnO晶粒的生长,提升了压敏陶瓷的非线性,降低了样品漏电流密度,且MnO2、Co2O3共掺杂对样品电性能的协同作用能更为有效地促进晶粒生长,提高电性能。第一性原理计算结果表明,Co2O3、MnO2共掺杂时,增加了 Co、Mn在晶粒内的固溶能,对Co、Mn元素在ZnO晶粒的固溶产生相互的抑制作用,促使Co、Mn向晶界偏析,从而促进再氧化过程中晶界O吸附,增加受主VZn浓度,提高晶界肖特基势垒,提升样品电性能。通过流延工艺制备了以贱金属Ni为内电极的ZnO MLVs生片,发现N2中烧结的样品,Ni电极与瓷体有着良好的共烧兼容性;通过再氧化过程对样品微观结构及电性能影响的研究,发现再氧化温度对ZnO MLVs电性能有着重要影响,再氧化温度过低时（低于650℃）,晶界不能充分氧化,样品电性能较差,而再氧化温度过高时（高于750℃）,Ni电极的氧化也会导致电性能的恶化;通过建立Ni电极氧化后样品的等效结构模型及改善的RC电路模型,研究了 Ni电极的氧化对器件电性能的影响机制;通过再氧化保温时间对样品电性能的影响研究,发现需要足够高的温度给Bi2O3的形成及重新在晶粒结点和晶界处偏析提供动力,同时也需要足够的保温时间来完成这个过程,才能使晶界充分氧化,形成较高的晶界势垒,从而得到电性能良好的器件。本文制备的以贱金属Ni为内电极的ZnOMLVs压敏电压低至16.3 V,非线性系数达到26.5,漏电流为0.68 μA。本文提供的方法适合大规模工业生产,为采用贱金属Ni取代贵金属Ag、Pd,降低电极材料在ZnO MLVs中的成本提供了新的思路。
康昆勇[2]（2016）在《Ge-GeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷研究》文中认为随着信息技术的迅速发展,小型化、多功能化、高稳定性成为电子设备发展的必然趋势,作为电路保护元件的压敏电阻器也朝着低压化、多功能化、高可靠性方向发展。TiO2压敏电阻具有大电容、低压敏电压、制备工艺简单、可以在大气中一次直接烧结成具有电容、压敏特性的复合元件等优点,但至今还未解决非线性系数较小的关键问题,难以形成系列化生产,其应用领域受到极大限制。为充分发挥TiO2压敏电阻的优势,满足低压领域和高集成电路对低压压敏电阻的需求,本论文继续探索Ti02压敏电阻的非线性机理,试图采用多组元共掺杂的方法提高其非线性系数和进一步降低其压敏电压。选用Nb2O5、Ta2O5和V205作施主掺杂剂,CaCO3、BaCO3、SrCO3和Y203作受主掺杂剂,通过不添加或添加Ge或Ge02以及同时添加Ge和Ge02,采用传统的球磨-成型-烧结陶瓷生产工艺制备Ti02基压敏陶瓷样品,用XRD分析物相、SEM观察微观结构、EDAX分析元素含量、XPS分析元素化合价和TEM观察晶界结构,详细研究了Ge和Ge02单掺杂和共掺杂对不同施主和受主掺杂TiO2压敏陶瓷的微观结构和压敏性能影响。论文首先选用离子半径与Ti4+比较接近的Nb5+作施主、离子半径较大的Ca2+作受主,使用Nb205和CaCO3为掺杂剂,通过实验研究得到CaCO3压敏陶瓷的最佳掺杂含量、最佳烧结温度和最佳烧结时间,并讨论TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的晶界势垒形成过程。研究表明,TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的最佳掺杂含量为0.5mol%Nb2O5和0.5mol%CaCO3,最佳烧结温度为1400℃,最佳烧结时间为3h,此时非线性系数最大为a=6.6。TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的晶界势垒形成过程是：TiO2内在引起的缺陷（Tii……,VTi,Vo）和Nb2O5、CaCO3掺杂引起的缺陷（NbTi,Ca"Ti）在晶界处形成耗尽层,在晶界处形成影响电子输运的缺陷势垒,使得电子通过隧道效应进行传输,从而产生了压敏电阻的非线性电学性质。以此为基础,通过添加优良半导体单质Ge,研究Ge对TiO2-Nb2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响。研究表明,由于Ge具有较低的熔点,烧结过程中出现液相,使受主离子Ca2+充分偏析在晶界,增大晶界受主态密度Ns；生成物GeO2促进晶粒生长,减小晶界宽度,进一步增加晶界受主态密度Ns,因此提高非线性系数α值。晶粒生长减少单位厚度内晶界数量n,且生成物GeO2也是优良半导体,GeO2固溶在TiO2晶格中提高晶粒半导化程度,因此降低了-CaC03陶瓷的压敏电压EB。当Nb2O5和CaCO3的掺杂浓度分别为0.5mol%, Ge的掺杂浓度为0.1mol%时,TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷具有最高的非线性系数（α=10.6）、较低的压敏电压（EB=8.7V·mm-1）和最高的晶界势垒（ΦB=1.73eV）。同时,具有较低熔点的Ge充当烧结助剂,减少烧结温度约100℃,TiO2-Nb2O5-CaCO3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度为1300℃。通过改变施主,论文还研究了Ge对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响,得到相似结论。当Ta2O5、CaCO3和Ge的掺杂含量分别是0.2mol%、0.4mol%和0.9mol%时,在1300℃烧结3h的TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷具有高的α（α=10.2）、低的EB（EB=14.1V·mm-1）和高的ΦB（ΦB=0.95eV）。由于GeO2也是熔点较低的优良半导体,论文研究了GeO2掺杂对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的影响。研究表明,GeO2能够促进TiO2-Ta2O5-CaCO3陶瓷晶粒生长、减小晶界宽度、使受主Ca2+尽可能偏析在晶界,增大晶界受主态密度Ns,有益于提高非线性系数α和降低压敏电压Eb。当Ta2O5和CaCO3的掺杂浓度分别为0.2mol%和0.9mol%GeO2时,TiO2-Ta2O5-CaCO3-GeO2压敏陶瓷具有高的非线性系数α（α=9.8）、较低的压敏电压EB（EB=17.2V·mm-1）和高的晶界势垒ΦB（ΦB=0.92eV）添加Ge或GeO2对TiO2基压敏陶瓷都有显着影响且影响机制相似,于是论文进一步研究共掺杂Ge和GeO2如何影响其微结构和压敏性质。通过研究Ge和GeO2共掺杂对TiO2-Ta2O5-CaCO3、TiO2-V2O5-Y2O3、TiO2-Ta2O5-BaCO3和TiO2-Nb2O5-SrCO3等压敏陶瓷压敏性能和微结构的影响,得到以下结论：（1）添加Ge和GeO2,由于Ge和GeO2具有较低熔点,烧结过程中出现液相,为受主离子充分偏析在晶界提供有利条件,增加界面受主态密度Ns和晶界势垒高度ΦB,因此提高非线性系数α值；（2）添加Ge和GeO2,烧结过程中生成GeO, Ge2+由于半径较大偏析在晶界,进一步增加Ns和ΦB,进一步提高α值；（3）GeO2是优良半导体,GeO2溶进TiO2晶格提高了晶粒的半导化程度,因此减小EB。（4）GeO2促进晶粒生长,减小晶界宽度有助于减小势垒宽度XD,同时减少沿样品厚度方向的晶界数量n,从而进一步提高α值和减小压敏电压EB。论文最后选用离子半径和Ti4+十分接近的Ta5+作施主,离子半径和Ti4+相差较大的Ba2+作受主,通过精确测定施主掺杂剂Ta2O5和受主掺杂剂BaCO3的最佳掺杂含量并改进制备工艺,制备出非线性系数最大为α=15.7、压敏电压最小为EB=7.3V·mm-1的TiO2-Ta2O5-BaCO3-Ge-GeO2压敏陶瓷。
徐鹏飞[3]（2015）在《叠层片式压敏电阻器制备技术研究》文中研究指明随着电子信息产业的不断发展,电子元器件朝着小尺寸和低电压等方向发展,叠层片式压敏电阻器的小型化近年来发展迅速。国外批量生产的叠层片式压敏电阻器最小尺寸已达到0603（0.6mm*0.3mm）,国内则主要以1005（1.0mm*0.5mm）及以上尺寸为主。小型化的叠层片式压敏电阻器主要受压敏电阻材料和生产工艺等方面的制约,国内发展相对较缓慢。叠层片式压敏电阻器具有尺寸小、低电压、高可靠性、安装方便等特点,主要应用于过电压保护电路中。本文主要针对0603型叠层片式压敏电阻的结构设计、材料和制作工艺等方面展开研究。主要研究内容如下:（1）针对叠层片式压敏电阻器的主体结构设计和内电极结构设计,研究不同结构设计对叠层片式压敏电阻器电性能的影响。采用不同内部结构设计解决应用电路中对叠层片式压敏电阻器容量的不同要求。（2）以Zn O为主体,添加Bi2O3、Sb2O3等氧化物作为压敏陶瓷基体材料,并对材料的主要特性进行研究。研究不同材料配比对叠层片式压敏电阻器电性能的影响;研究制备叠层片式压敏电阻器所必需的内电极导体材料,对不同内电极导体材料和压敏电阻基体材质的匹配性进行了研究。（3）研究叠层片式压敏电阻器制备的关键工艺对产品电性能和可靠性的影响,对压敏电阻浆料的制备工艺中容易出现的主要问题和解决措施进行了探索;分析三种不同成型工艺（瀑布流延印刷成型、流延薄膜叠印成型和交叠印刷成型）的优缺点,研究不同成型工艺中的关键控制点;探索压敏陶瓷材料和内电极材料的匹配共烧工艺,对两款材料的收缩率、不同烧结气氛对产品电性能的影响等进行了系统研究;研究叠层片式压敏电阻器的端电极制作工艺及不同的表面处理方法对产品电性能以及产品外观和可靠性等的影响。
高睿超[4]（2015）在《TiO2基压敏电阻材料掺杂改性研究》文中指出Ti O2基压敏材料具有压敏电压低、非线性系数高、介电常数高、制备工艺简单、成本低等优点,广泛应用于计算机、微电机等的集成电路中,起到过压保护、抗浪涌、消噪等作用,其市场具有很大的潜力。本论文通过对Fe2O3、Zr O2掺杂的Ti O2基压敏电阻材料的系统研究,发现（1）Fe2O3掺杂水平对Ti O2-Ta2O5基压敏电阻的微观结构和电学性能有一定的影响。Fe2O3掺杂能促进Ti O2-Ta2O5基压敏电阻晶粒长大,但会影响陶瓷烧结过程中的传质过程,过量Fe2O3的掺杂会降低压敏电阻材料的致密度。随着Fe2O3的掺入量的增多,Ti O2-Ta2O5基压敏陶瓷非线性系数从3.9下降到3.6;压敏电压从23 V/mm增大到229 V/mm。（2）掺杂Fe2O3的Ti O2-Nb2O5-Cr2O3样品不致密,存在一定数量的气孔。一定量Fe2O3的添加有利于Ti O2-Nb2O5-Cr2O3基压敏电阻致密度的提高。随着Fe2O3掺杂量的上升,样品的非线性系数先增加后减小,Fe2O3掺杂量为0.01时非线性系数达到最大值16.0。随着Fe2O3掺杂量的提高,样品的压敏电压从5.9 V/mm升到了249 V/mm。掺杂Fe2O3样品的漏电流大于未掺杂样品的漏电流。（3）Zr O2的掺杂可以提高Ti O2-Nb2O5-Cr2O3基压敏电阻的致密度。未掺杂Zr O2样品晶粒之间存在第二相Cr0.1Nb0.1O2Ti0.8,当Zr O2掺杂量达到2.0 mol%时,第二相消失。当Zr O2掺杂量不超过1.0 mol%时,样品的压敏电压从5.8 V/mm上升到了11.8 V/mm,Zr O2掺杂量达到2.0 mol%时样品压敏电压降到5.1 V/mm。样品的非线性系数随着Zr O2掺杂量的增加从5.7下降到3.6,Zr O2掺杂量达到2mol%时,样品非线性消失。漏电流从199 A/cm2增加到376μA/cm2。
邝国威[5]（2014）在《钇掺杂制备ZnO高压多层片式陶瓷压敏电阻器》文中研究说明在传统ZnO-Bi2O3系压敏电阻陶瓷材料低温烧结配方基础上,用Y2O3掺杂改性,在920℃烧结得到显微结构致密均匀、α>40、压敏电压梯度大于100V/50μm的多元压敏电阻陶瓷材料,采用该材料制备了高压敏电压的多层片式压敏电阻器。试验结果表明,掺入适量的Y2O3,可明显提高ZnO-Bi2O3系低温烧结配方压敏电阻陶瓷材料显微结构均匀性和致密性,当掺杂量为2wt%时,920℃下烧结良好,可匹配纯银内电极,制备中高压多层片式陶瓷压敏电阻器。该项技术已实现商业化应用。
冯志刚[6]（2013）在《片式浪涌型氧化锌压敏电阻研究》文中研究说明本文根据作者在片式压敏电阻产品的从业经验，结合压敏电阻的应用前景，选择片式压敏的主要发展方向——浪涌过电压防护型压敏电阻作为研究对象，通过对浪涌防护型压敏电阻在工业应用领域的实际设计使用的研究，以及客户对片式压敏电阻产品的相关要求，确定了需要的片式浪涌型氧化锌压敏电阻产品标准，并从陶瓷材料配方及制程工艺上两个方面进行研究，找出影响到产品性能、通流容量、可靠性及寿命的因素，使材料能够具备高的通流容量和满足负载加速老化评估。在查阅有关该领域内的研究文献后，结合已成熟的片式压敏电阻干法生产工艺，在原用于避雷器或小尺寸片式压敏电阻的基础材料配方上，引入多个不同的添加剂氧化物，如B、Ti、Mg、Ni、Ag及稀土氧化物等，通过实验数据研究其对材料性能及制作成的片式浪涌型压敏电阻产品的综合性能的影响，分析作用机理，找出可以提高产品通流容量、改善大尺寸产品老化性能的材料组成及配比。论文的重点是材料配方及制程工艺对材料通流容量及老化性能的改善情况，特别是在材料配方一定的情况下，怎样通过多样工艺上的改进改善产品的性能，且结合生产的实际，以提高晶界稳定性、均匀性、致密性等为目标，研究新的配料、分散、烧结或热处理等方法，用以改善产品通流及老化性能。本研究采用标准化的方法，对于材料配方实验制作方法、产品设计制作参数等都采用统一标准，保证了实验的准确性，并且经重复确认过实验结果，确保实验数据真实有效，能反映出材料或工艺设计的效果。
高兴[7]（2013）在《受主掺杂SnO2-Co2O3-Nb2O5压敏电阻的制备及性能研究》文中进行了进一步梳理作为防雷过压保护的核心,压敏电阻要求具有稳定的非线性特性和高脉冲能量耐量。SnO2压敏陶瓷材料与ZnO压敏材料复杂的多相结构迥然不同,这种材料只有一种相结构,具有很好的稳定性,同时SnO2压敏材料在非线性电学性能方面也表现出了很大的潜力,因此具有十分重要的应用意义和良好的发展前景。研究中发现,纯SnO2因其晶粒内部缺少载流子而不具有压敏性,通过施主掺杂Nb2O5后的材料开始显示压敏性,但由于其晶粒不能融合生长而致使密度极低,非线性系数也极低。只掺杂受主Co2O3的材料致密度很高,与纯SnO2一样因缺少载流子而不具有压敏性,同时掺杂Nb2O5和Co2O3的材料具有很好的非线性和很高的致密度。本论文将在前人研究的基础上,通过氧化物掺杂和烧结工艺调整对SnO2压敏电阻进行掺杂改性,以提高其致密度和非线性特性。本论文首先采用ZnO作为受主掺杂,并对其烧结工艺进行调整,研究其对SnO2压敏电阻材料性能的影响。结果表明,ZnO的引入和烧结温度的提高能够提高样品的致密度及促进陶瓷的半导化,烧结温度为1300℃、ZnO掺杂量为1.0mol%的样品致密性最好,电阻率最小,相对介电常数最大,但同时样品在小电流下的非线性特性不太理想,非线性系数较小（α=10.3）,压敏电压不足300V/mmm。经分析,SnO2晶粒尺寸增大是压敏电场降低,相对介电常数升高的主要原因。在前面工作的基础上,采用BaCO3掺杂进一步提高SnO2压敏材料的非线性特性。由于碱土金属Ba离子半径普遍较大,难以进入晶格形成替代离子,会聚集在晶界处,阻止晶粒生长,材料的压敏电压就急剧升高（峰值为1110.5V/mm）,同时所有样品的非线性系数也有较大提高（α>11）,这在高压保护领域方面表现出很大的应用潜力。最后,采用ZnO和BaCO3共同掺杂SnO2样品,结果表明,样品的相对密度达到94.26%,电阻率的大小与单掺BaCO3的样品的电阻率为同一个数量级,且ZnO和BaCO3共掺的样品的压敏电压较大,达到693.7V/mm,相对介电常数εr较小。
万帅,吕文中,付振晓[8]（2012）在《水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能》文中提出用环境扫描电子显微镜（ESEM）、X射线衍射（XRD）和X射线能谱（EDXS）等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明:当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明:900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能:压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。
王晓青[9]（2012）在《TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备与性能研究》文中进行了进一步梳理TiO2基压敏陶瓷是一种具有压敏特性的半导体功能材料，其突出的优点是压敏电压低和介电常数高等，可用于低压领域起过电压保护和浪涌吸收的作用，越来越受到人们的关注。本论文以TiO2为主晶相，通过添加几种氧化物对TiO2压敏陶瓷进行掺杂改性，以降低压敏电压，提高非线性系数，改善介电性能。要想获得电压非线性特性，首先必须使陶瓷晶粒半导化。本论文首先添加不同Nb源掺杂剂进行施主掺杂，分别对比了氧化铌（Nb2O5）和草酸铌(C10H5NbO20)掺杂对TiO2压敏陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明，氧化铌和草酸铌施主掺杂都能促进TiO2压敏陶瓷的半导化；草酸铌的掺杂改性优于氧化铌，这主要与草酸铌的水溶性使其在瓷体内部分布比较均匀有关。随着氧化铌或草酸铌掺杂量的增加，样品的压敏电压和非线性系数都是先减小后增大，而介电常数先增大后减小。为了进一步提高所研究材料的电压非线性系数，我们尝试提高晶界势垒。在草酸铌施主掺杂的基础上，我们引入了CaCO3作为受主掺杂。结果表明，少量的Ca2+固溶到TiO2晶格中，促进晶粒长大，降低了压敏电压；大部分Ca2+存在于晶界，有利于晶界势垒的形成，提高了非线性系数。过量掺杂会使样品内部气孔和缺陷增多，性能变差。当CaCO3掺杂量为1.5wt%时，样品的综合性能最好，压敏电压约为10.3V，非线性系数约为5.5，介电常数达到1.21×105，介电损耗约为0.113。烧结温度对样品性能起到关键的作用，提高烧结温度，样品的压敏性能和介电性能都有所改善。在氧化铌施主掺杂的基础上，我们添加CuO进行掺杂改性。结果表明，掺杂CuO会阻碍晶粒生长，晶粒尺寸有所减小，压敏电压增大，非线性系数也明显增大；过量掺杂会使样品内部气孔和缺陷增多，介电常数减小，介电损耗增大。这是由于CuO高温下会分解成Cu2O和O2，离子半径较大的Cu+会在晶界处积聚，阻碍晶粒长大，导致压敏电压增大；而分解出的O2会少量吸附在晶界，使得界面态密度增大，提高晶界势垒，从而使非线性系数增大。当CuO掺杂量为0.1wt%时，样品的综合性能最佳，压敏电压约为40.7V，非线性系数约为8.03，介电常数为8.74×103。
周紫阳[10]（2011）在《SnO2压敏电阻的掺杂改性研究》文中研究指明作为防雷过压保护的核心,压敏电阻要求具有稳定的非线性特性和高脉冲能量耐量。SnO2压敏陶瓷材料由于具有热导率大（是ZnO基压敏材料热导率的2倍左右）耐高温等优点,在承受脉冲电流过大而失效时并不像ZnO压敏元件容易发生爆炸或穿孔破坏,因此具有十分重要的应用意义和良好的发展前景。但就目前来说,SnO2压敏电阻的电性能与ZnO压敏电阻相比还有一定的距离,因而有待进一步的改善。本论文将在前人研究的基础上,通过氧化物掺杂和工艺调整对SnO2压敏电阻进行掺杂改性,以提高其小电流特性和耐受脉冲性能。压敏电阻的非线性特性起源于晶粒电阻与晶界电阻的巨大差异,所以,想要获得高的非线性,必须使陶瓷的晶粒获得较高半导化程度。本论文首先采用草酸铌代替Nb2O5作为施主掺杂,研究其对SnO2压敏电阻材料电性能的影响。结果表明,草酸铌的引入能够促进陶瓷的半导化,掺杂量为0.3wt%的样品获得最好的非线性（α等于42）和最高的耐受脉冲电流值（达2132A）;与掺杂Nb2O5的样品相比,掺杂草酸铌的样品具有较低的残压比,这主要与草酸铌在瓷体内部分布比较均匀有关。在前面工作的基础上,我们采用SiO2进一步提高SnO2的烧结性能,由于Si4+半径较小,进入晶格后容易引起晶格畸变,从而促进陶瓷烧结,但同时样品在小电流下的非线性特性变差,而过量的SiO2会阻碍晶粒生长,破坏晶界形成。适量的SiO2可明显提高样品的耐受脉冲电流值,而残压比随着SiO2含量的增加而升高。鉴于掺杂SiO2的样品小电流下出现较差的非线性特性,我们分别引入碱式碳酸镁（（MgCO3）4·Mg（OH）2·5H2O）和SrCO3改善样品的非线性特性。结果表明,引入适量的碱式碳酸镁有利于改善晶粒大小的均匀性,从而改善样品的小电流特性,同时提高样品的耐受脉冲性能,掺杂量为0.3wt%的样品获得最高的耐受脉冲电流值3900A,残压比为2.098。掺杂SrCO3的样品都拥有较好的小电流特性,非线性系数α都在40以上,漏电流小于2μA;由于Sr2+半径较大,容易偏析于晶界,抑制晶粒长大,陶瓷气孔增多,随着SrCO3的增加,V1mA逐渐升高,εr逐渐下降,耐受脉冲电流值下降,残压比上升。
二、TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究（论文提纲范文）
（1）还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其叠层片式元件关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 ZnO压敏电阻电性能及其表征 |
| 1.3 ZnO压敏电阻基本理论模型 |
| 1.4 ZnO压敏陶瓷晶界特性 |
| 1.5 ZnO MLVs研究现状及发展趋势 |
| 1.6 贱金属内电极ZnO MLVs制备的关键科学问题 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 |
| 2 制备工艺及测试方法 |
| 引言 |
| 2.1 样品制备工艺 |
| 2.2 测试及计算方法 |
| 2.3 实验所用原料、设备及测试仪器 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 ZnO在还原气氛中的分解及缺陷化学研究 |
| 引言 |
| 3.1 传统ZnO-Bi_2O_3系压敏材料的抗还原特性研究 |
| 3.2 ZnO的抗还原改性研究 |
| 3.3 ZnO的第一性原理计算及BN对组分的还原抑制机理 |
| 3.4 ZnO-Bi_2O3-BN压敏陶瓷的再氧化及电性能研究 |
| 3.5 再氧化过程及机理研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 基于还原再氧化工艺的ZnO压敏材料改性研究 |
| 引言 |
| 4.1 Sb_2O_3掺杂对微观结构及电性能的影响研究 |
| 4.2 Sb_2O_3对压敏陶瓷性能影响机理 |
| 4.3 过渡金属氧化物MnO_2、Co_2O_3掺杂改性研究 |
| 4.4 MnO_2、Co_2O_3改性机理及协同机制 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 片式ZnO压敏电阻及其与贱金属Ni内电极的共烧研究 |
| 引言 |
| 5.1 Ni电极与ZnO压敏材料的共烧匹配及欧姆接触 |
| 5.2 ZnO MLVs压敏电压调控 |
| 5.3 再氧化过程对ZnO MLVs微观结构及电性能影响 |
| 5.4 烧结制程与再氧化条件分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 全文总结与展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 授权专利及发表论文 |
（2）Ge-GeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 压敏陶瓷的应用领域 |
| 1.1.1 过压保护 |
| 1.1.2 电压稳定 |
| 1.1.3 吸收浪涌和杂波 |
| 1.2 压敏陶瓷材料的研究进展 |
| 1.2.1 SiC压敏陶瓷 |
| 1.2.2 ZnO压敏陶瓷 |
| 1.2.3 TiO_2压敏陶瓷 |
| 1.2.4 SnO_2压敏陶瓷 |
| 1.2.5 SrTiO_3压敏陶瓷 |
| 1.2.6 BaTiO_3压敏陶瓷 |
| 1.2.7 WO_3压敏陶瓷 |
| 1.3 TiO_2压敏材料的研究意义和论文的研究内容 |
| 1.3.1 TiO_2压敏材料的研究意义 |
| 1.3.2 论文的研究内容 |
| 第二章 压敏材料相关理论、论文研究思路和实验方法 |
| 2.1 压敏材料的电流-电压曲线 |
| 2.2 压敏材料的非线性原理 |
| 2.3 压敏陶瓷的势垒结构 |
| 2.3.1 晶界结构 |
| 2.3.2 势垒结构 |
| 2.3.3 势垒结构对压敏性能的影响 |
| 2.3.4 导电机理 |
| 2.4 论文的研究思路 |
| 2.5 论文的实验方法 |
| 2.5.1 试剂和设备 |
| 2.5.2 样品制备 |
| 2.5.3 压敏陶瓷材料的性能表征 |
| 2.5.4 主要仪器设备简介 |
| 2.5.5 技术路线 |
| 第三章 Nb_2O_5和CaCO_3掺杂TiO_2压敏陶瓷 |
| 3.1 TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3样品制备和性能检测 |
| 3.2 TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的晶界势垒形成过程 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 Ge掺杂TiO_2压敏陶瓷研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷 |
| 4.2.1 TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3-Ge压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 4.2.2 微观结构分析 |
| 4.3 Ge掺杂TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷 |
| 4.3.1 TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3-Ge压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 4.3.2 微观结构分析 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 GeO_2掺杂TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3-GeO_2压敏陶瓷的制备和性能检测 |
| 5.3 微观结构分析 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 Ge和GeO_2共掺杂TiO_2压敏陶瓷研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 Ge和GeO_2共掺杂TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷 |
| 6.2.1 TiO_2-Ta_2O_5-CaCO_3-Ge-GeO_2压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 6.2.2 微观结构分析 |
| 6.3 Ge和GeO_2共掺杂TiO_2-V_2O_5-Y_2O_3压敏陶瓷 |
| 6.3.1 TiO_2-V_2O_5-Y_2O_3-Ge-GeO_2压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 6.3.2 微观结构分析 |
| 6.4 Ge和GeO_2共掺杂TiO_2-Ta_2O_5-BaCO_3压敏陶瓷 |
| 6.4.1 TiO_2-Ta_2O_5-BaCO_3压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 6.4.2 微观结构分析 |
| 6.5 Ge和GeO_2共掺杂TiO_2-Nb_2O_5-SrCO_3压敏陶瓷 |
| 6.5.1 TiO_2-Nb_2O_5-SrCO_3-Ge-GeO_2压敏陶瓷制备和性能检测 |
| 6.5.2 微观结构分析 |
| 6.6 改进工艺和优化掺杂含量的TiO_2-Ta_2O_5-BaCO_3-Ge-GeO_2压敏陶瓷 |
| 6.6.1 优化掺杂含量和改进工艺 |
| 6.6.2 压敏性能测试 |
| 6.7 小结 |
| 第七章 论文总结 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 不足与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| Ⅰ. 攻读博士学位期间发表或录用的论文 |
| Ⅱ. 攻读博士学位期间申请的专利 |
| Ⅲ. 攻读博士学位期间获奖情况 |
| Ⅳ. 攻读博士学位期间参与科研情况 |
（3）叠层片式压敏电阻器制备技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 叠层片式压敏电阻器的发展概况及现状 |
| 1.1.1 叠层片式压敏电阻器的结构及发展趋势 |
| 1.1.2 叠层片式压敏电阻器小型化的现状 |
| 1.2 压敏功能陶瓷材料的现状 |
| 1.3 叠层片式压敏电阻器的制作工艺现状 |
| 1.4 本论文的选题和研究内容 |
| 第二章 叠层片式压敏电阻器的结构设计研究 |
| 2.1 叠层片式压敏电阻器的参数设计 |
| 2.2 叠层片式压敏电阻器结构设计 |
| 2.2.1 高容量叠层片式压敏电阻器内电极结构设计 |
| 2.2.2 低容量叠层片式压敏电阻器内电极结构 |
| 2.2.3 端电极结构设计 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 叠层片式压敏电阻器的材料研究 |
| 3.1 叠层片式压敏电阻器的基体材料 |
| 3.2 内电极导体浆料 |
| 3.3 端电极银浆 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 叠层片式压敏电阻器的制备工艺研究 |
| 4.1 叠层片式压敏电阻器的制备工艺 |
| 4.1.1 叠层片式压敏电阻器的生产工艺流程 |
| 4.1.2 叠层片式压敏电阻器的主要成型方法 |
| 4.2 小型化叠层片式压敏电阻器的关键制造技术 |
| 4.2.1 流延技术 |
| 4.2.1.1 配料球磨 |
| 4.2.2 成型技术 |
| 4.2.3 共烧技术 |
| 4.2.4 表面处理技术 |
| 4.2.4.1 表面处理方法 |
| 4.2.4.2 表面处理液的制备 |
| 4.2.4.3 表面处理工艺 |
| 4.2.5 端电极制备技术 |
| 4.2.5.1 底层端电极制备 |
| 4.2.5.2 电镀 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 结论和展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 前景展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者攻硕期间取得的成果 |
（4）TiO2基压敏电阻材料掺杂改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 低压压敏电阻研究现状 |
| 1.2.1 ZnO低压压敏电阻 |
| 1.2.2 压敏薄膜 |
| 1.2.3 SrTiO_3基低压压敏电阻 |
| 1.2.4 TiO_2基低压压敏电阻 |
| 1.3 掺杂对TiO_2基压敏陶瓷的影响 |
| 1.3.1 施主掺杂 |
| 1.3.2 受主掺杂 |
| 1.3.3 烧结助剂掺杂 |
| 1.4 本文的研究目的和意义 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第2章 研究内容与方法 |
| 2.1 实验原料及设备 |
| 2.2 实验步骤 |
| 2.3 实验测试方法及表征 |
| 第3章 Fe_2O_3掺杂对TiO_2-Ta_2O_5基压敏陶瓷性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 Fe_2O_3掺杂水平对样品相组成影响 |
| 3.4 Fe_2O_3掺杂水平对样品微观结构与烧结性能的影响 |
| 3.5 Fe_2O_3掺杂水平对样品电学性能的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 Fe_2O_3掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-Cr2O_3基压敏陶瓷性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 Fe_2O_3掺杂水平对样品微观结构与烧结性能的影响 |
| 4.4 Fe_2O_3掺杂水平对样品相组成的影响 |
| 4.5 Fe_2O_3掺杂水平对样品电学性能的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 ZrO_2掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-Cr2O_3基压敏陶瓷性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 ZrO_2掺杂水平对样品微观结构与烧结性能的影响 |
| 5.4 ZrO_2掺杂水平对样品相组成的影响 |
| 5.5 ZrO_2掺杂水平对样品电学性能的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简历 |
| 在学期间研究成果 |
（6）片式浪涌型氧化锌压敏电阻研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 氧化锌压敏电阻发展现状 |
| 1.2 氧化锌压敏电阻分类 |
| 1.3 浪涌型氧化锌压敏电阻应用分析 |
| 1.4 片式浪涌型氧化锌压敏电阻的发展前景 |
| 1.4.1 片式压敏电阻制造业分析 |
| 1.4.2 片式浪涌型压敏电阻的发展前景 |
| 第2章 氧化锌压敏电阻功能与原理 |
| 2.1 氧化锌压敏电阻材料功能原理 |
| 2.1.1 氧化锌压敏陶瓷材料功能分析 |
| 2.1.2 氧化锌压敏电阻添加剂材料特性 |
| 2.2 氧化锌压敏电阻微观结构及导电机理 |
| 2.2.1 氧化锌压敏陶瓷微观物相结构 |
| 2.2.2 氧化锌压敏电阻的晶界势垒 |
| 2.2.3 氧化锌压敏电阻的伏安特性及导电机理 |
| 第3章 氧化锌压敏电阻材料研究 |
| 3.1 氧化锌压敏电阻材料配方基础 |
| 3.1.1 材料配方实验方法 |
| 3.1.2 基础材料配方选取 |
| 3.2 影响通流容量的相关因素分析 |
| 3.2.1 提高通流容量的主要办法 |
| 3.2.2 主要影响通流容量的添加剂材料 |
| 3.3 片式压敏电阻产品老化寿命试验方法 |
| 3.3.1 老化实验条件 |
| 3.3.2 压敏电阻的一般老化失效模式 |
| 3.4 浪涌型压敏电阻材料配方实验 |
| 3.4.1 TiO2掺杂对材料性能的影响 |
| 3.4.2 B 掺杂对材料性能的影响 |
| 3.4.3 Mg、Ni、Ag 掺杂对材料性能的影响 |
| 3.4.4 稀土氧化物掺杂对材料性能的影响 |
| 3.5 浪涌型压敏电阻材料配方实验总结 |
| 第4章 浪涌型压敏电阻工艺研究 |
| 4.1 片式氧化锌压敏电阻干法工艺制作流程 |
| 4.2 工艺研究实验方法 |
| 4.3 粉料粒度对材料性能的影响 |
| 4.3.1 实验方案 |
| 4.3.2 实验数据 |
| 4.3.3 实验分析 |
| 4.3.4 实验结论 |
| 4.4 硝酸盐代替氧化物 |
| 4.4.1 实验方案 |
| 4.4.2 实验数据 |
| 4.4.3 分析 |
| 4.4.4 结论 |
| 4.5 热处理工艺对通流容量及老化性能的影响 |
| 4.5.1 热处理对压敏电阻产品性能影响的机理 |
| 4.5.2 热处理实验方案 |
| 4.5.3 实验结果 |
| 4.5.4 实验总结 |
| 4.6 综合研究成果 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 全文结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（7）受主掺杂SnO2-Co2O3-Nb2O5压敏电阻的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 压敏陶瓷材料 |
| 1.2 压敏陶瓷的分类 |
| 1.2.1 低压压敏电阻陶瓷材料 |
| 1.2.2 高压压敏电阻陶瓷 |
| 1.2.3 电容-压敏复合电阻陶瓷 |
| 1.3 压敏电阻的电学特性 |
| 1.4 压敏电阻主要性能参数 |
| 1.4.1 非线性系数 |
| 1.4.2 压敏电压 |
| 1.4.3 致密度 |
| 1.4.4 相对介电常数 |
| 1.4.5 漏电流 |
| 1.4.6 通流容量 |
| 1.4.7 残压比 |
| 1.5 SnO_2压敏陶瓷的基本特性 |
| 1.6 SnO_2压敏陶瓷掺杂改性研究 |
| 1.6.1 改善陶瓷致密度 |
| 1.6.2 改善陶瓷非线性欧姆特性 |
| 1.6.3 烧成温度、气氛与电位梯度 |
| 1.7 SnO_2压敏陶瓷研究的意义 |
| 第二章 实验设计和制备过程 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验制备过程及工艺 |
| 2.3.1 配料、称量 |
| 2.3.2 混料和球磨 |
| 2.3.3 干燥、过筛 |
| 2.3.4 造粒、成型 |
| 2.3.5 排塑、烧结 |
| 2.3.6 打磨、清洗、烧银电极 |
| 2.4 样品检测方法 |
| 2.4.1 X射线衍射测试(XRD) |
| 2.4.2 扫描电子显微镜测试(SEM) |
| 2.4.3 压敏电阻直流参数仪和精密LCR阻抗分析仪 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 Zn掺杂对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料的影响 |
| 3.1 SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏体系 |
| 3.1.1 施主元素和受主元素的作用 |
| 3.1.2 晶界缺陷势垒模型 |
| 3.2 掺Zn对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料性能的影响 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 微观结构检测结果 |
| 3.2.3 样品收缩检测结果 |
| 3.2.4 密度测试检测结果 |
| 3.2.5 样品电阻率检测结果 |
| 3.2.6 介电性质检测结果 |
| 3.2.7 非线性电学性质检测结果 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 Ba掺杂对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料的影响 |
| 4.1 掺Ba对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料性能的影响 |
| 4.1.1 样品制备 |
| 4.1.2 微观结构检测结果 |
| 4.1.3 样品收缩检测结果 |
| 4.1.4 密度测试检测结果 |
| 4.1.5 样品电阻率检测结果 |
| 4.1.6 介电性质检测结果 |
| 4.1.7 非线性电学性质检测结果 |
| 4.2 本章小结 |
| 第五章 Zn和Ba共掺杂对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料的影响 |
| 5.1 Zn和Ba共掺对SnO_2-Co_2O_3-Nb_2O_5压敏材料性能的影响 |
| 5.1.1 样品制备 |
| 5.1.2 微观结构检测结果 |
| 5.1.3 样品收缩及密度检测结果 |
| 5.1.4 样品电阻率检测结果 |
| 5.1.5 样品电学性能检测结果 |
| 5.2 本章小结 |
| 第六章 全文总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录A (攻读学位期间发表论文目录) |
（8）水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 片式Zn O压敏电阻器的制备 |
| 1.2 测试方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 片式Zn O压敏电阻生坯微观分析 |
| 2.2 界面反应研究 |
| 2.2.1 物相分析 |
| 2.2.2 微观结构分析 |
| 2.3 界面扩散研究 |
| 2.3.1 微观结构分析 |
| 2.3.2 EDXS分析 |
| 2.4 片式压敏电阻器的电性能 |
| 3 结论 |
（9）TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 压敏陶瓷的主要类型 |
| 1.2.1 SiC 压敏陶瓷 |
| 1.2.2 ZnO 压敏陶瓷 |
| 1.2.3 TiO_2压敏陶瓷 |
| 1.2.4 SnO_2压敏陶瓷 |
| 1.2.5 SrTiO_3压敏陶瓷 |
| 1.2.6 WO_3压敏陶瓷 |
| 1.2.7 BaTiO_3压敏陶瓷 |
| 1.3 压敏陶瓷的应用 |
| 1.3.1 过压保护 |
| 1.3.2 稳定电压 |
| 1.4 TiO_2压敏陶瓷的国内外发展概况 |
| 1.5 本文的主要研究内容 |
| 第二章 基础理论知识 |
| 2.1 TiO_2的晶体结构和物理性质 |
| 2.2 压敏陶瓷的结构模型 |
| 2.3 压敏陶瓷的电学性能 |
| 2.4 压敏陶瓷的主要参数 |
| 2.4.1 非线性系数α（ Nonlinear Coefficient） |
| 2.4.2 压敏电压 V1mA（Breakdown Voltage） |
| 2.4.3 相对介电常数εr（Relative Dielectric Constant） |
| 2.4.4 介电损耗 tgδ（ Dielectric Loss） |
| 2.4.5 漏电流 IL（Leakage Current） |
| 第三章 实验过程和测试方法 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验原料 |
| 3.3 实验设备 |
| 3.4 样品制备工艺 |
| 3.5 测试和表征 |
| 3.5.1 X 射线衍射分析（ XRD） |
| 3.5.2 扫描电子显微分析（ SEM） |
| 3.5.3 电性能测试 |
| 3.5.4 相对密度测试 |
| 3.5.5 晶界势垒测定 |
| 第四章 不同 Nb 源施主掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验过程及样品测试 |
| 4.3 实验结果及分析 |
| 4.3.1 氧化铌、草酸铌掺杂的 TiO_2压敏陶瓷相对密度和微观结构比较 |
| 4.3.2 氧化铌、草酸铌掺杂的 TiO_2压敏陶瓷电性能比较 |
| 4.3.3 导电机理初步分析探讨 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 CaCO_3掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷的影响 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验过程及样品测试 |
| 5.3 实验结果及分析 |
| 5.3.1 CaCO_3掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷微观结构和相对密度的影响 |
| 5.3.2 CaCO_3掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷压敏性能的影响 |
| 5.3.3 CaCO_3掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷电容特性的影响 |
| 5.3.4 烧结温度对电学性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 CuO 掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷的影响 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验过程及样品测试 |
| 6.3 实验结果及分析 |
| 6.3.1 CuO 掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷微观结构的影响 |
| 6.3.2 CuO 掺杂对 TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响 |
| 6.3.3 CuO 掺杂的 TiO_2基压敏陶瓷的介电频率特性 |
| 6.4 本章小结 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（10）SnO2压敏电阻的掺杂改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 Sn0_2 压敏电阻的国内外发展情况 |
| 1.3 压敏电阻的电学性能 |
| 1.4 压敏电阻的主要参数 |
| 1.4.1 非线性系数α（Nonlinear Coefficient） |
| 1.4.2 压敏电压V_(1mA)（Breakdown Voltage） |
| 1.4.3 漏电流I_L (leakage current) |
| 1.4.4 相对介电常数ε_r (relative dielectric constant) |
| 1.4.5 通流容量 |
| 1.4.6 冲击能量耐量 |
| 1.4.7 残压比 |
| 1.5 Sn0_2 的晶体结构和物理性质 |
| 1.6 压敏电阻的导电机理和老化特性 |
| 1.6.1 压敏电阻的导电机理 |
| 1.6.2 压敏电阻的老化特性 |
| 1.7 本文主要研究内容 |
| 第二章 样品制备过程和测试方法 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验仪器设备 |
| 2.3 样品制备工艺 |
| 2.4 样品测试与表征 |
| 2.4.1 电性能测试 |
| 2.4.2 8/20μs 模拟雷电冲击实验 |
| 2.4.3 X 射线衍射分析（XRD） |
| 2.4.4 显微结构分析（SEM） |
| 2.4.5 密度测试 |
| 第三章 铌掺杂对Sn0_2压敏电阻的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验过程及样品测试 |
| 3.3 实验结果及分析 |
| 3.3.1 小电流特性 |
| 3.3.2 大电流冲击特性 |
| 3.4 掺杂草酸铌与掺杂Nb_20_5 的样品的电性能比较 |
| 3.5 本章总结 |
| 第四章 Si0_2掺杂对Sn0_2压敏电阻的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验过程及样品测试 |
| 4.3 实验结果及分析 |
| 4.3.1 Si0_2 掺杂对Sn0_2 压敏陶瓷显微结构和烧结情况的影响 |
| 4.3.2 Si0_2 掺杂对样品电性能的影响 |
| 4.3.2.1 小电流特性 |
| 4.3.2.2 大电流冲击性能 |
| 4.4 本章总结 |
| 第五章 镁掺杂对Sn0_2压敏电阻的影响 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验过程及样品测试 |
| 5.3 实验结果及分析 |
| 5.3.1 碱式碳酸镁掺杂对Sn0_2 压敏电阻微观结构的影响 |
| 5.3.2 碱式碳酸镁掺杂对Sn0_2 压敏电阻电性能的影响 |
| 5.3.2.1 小电流特性 |
| 5.3.2.2 大电流冲击特性 |
| 5.4 本章结论 |
| 第六章 锶掺杂对Sn0_2压敏电阻的影响 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验过程及样品测试 |
| 6.3 实验结果及分析 |
| 6.3.1 SrC0_3 掺杂对Sn0_2 压敏电阻微观结构的影响 |
| 6.3.2 SrC0_3 掺杂对Sn0_2 压敏电阻电性能的影响 |
| 6.3.2.1 小电流特性 |
| 6.3.2.2 大电流冲击特性 |
| 6.4 本章总结 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
四、TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究（论文参考文献）
- [1]还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其叠层片式元件关键技术研究[D]. 陈涛. 华中科技大学, 2017(10)
- [2]Ge-GeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷研究[D]. 康昆勇. 昆明理工大学, 2016(01)
- [3]叠层片式压敏电阻器制备技术研究[D]. 徐鹏飞. 电子科技大学, 2015(07)
- [4]TiO2基压敏电阻材料掺杂改性研究[D]. 高睿超. 中国地质大学(北京), 2015(01)
- [5]钇掺杂制备ZnO高压多层片式陶瓷压敏电阻器[A]. 邝国威. 《IT时代周刊》论文专版（第300期）, 2014(总第300期)
- [6]片式浪涌型氧化锌压敏电阻研究[D]. 冯志刚. 清华大学, 2013(07)
- [7]受主掺杂SnO2-Co2O3-Nb2O5压敏电阻的制备及性能研究[D]. 高兴. 昆明理工大学, 2013(02)
- [8]水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能[J]. 万帅,吕文中,付振晓. 硅酸盐学报, 2012(04)
- [9]TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备与性能研究[D]. 王晓青. 华南理工大学, 2012(01)
- [10]SnO2压敏电阻的掺杂改性研究[D]. 周紫阳. 华南理工大学, 2011(12)